ក្រុមហ៊ុន Samsung បានបង្ហាញ RAM ថ្មីមួយដែលបង្ហាញពីសក្តានុពលនៃអង្គចងចាំ DDR5 ទាក់ទងនឹងល្បឿននិងសមត្ថភាព។ ក្រុមហ៊ុន Samsung បាននិយាយថាម៉ូឌុលទំហំ 512GB DDR5 ដំបូងបង្អស់ត្រូវបានគេប្រើបច្ចេកវិទ្យាខ្ពស់ផ្តល់នូវល្បឿន `7200 មេហ្គាបៃពោលគឺកើនឡើងទ្វេដង DDR4។ ឥលូវនេះវាមានគោលបំណងផ្តោតលើទិន្នន័យឃ្លាំមើលបច្ចេកវិទ្យា AI និងមុខងាររៀនម៉ាស៊ីនប៉ុន្តែនៅទីបំផុតDDR5 នឹងរកផ្លូវទៅកុំព្យូទ័រធម្មតាជំរុញហ្គេមនិងកម្មវិធីផ្សេងទៀត។

ក្រុមហ៊ុនសាមសុងបានប្រើបច្ចេកវិទ្យា HKMG tech លើកដំបូងនៅក្នុងឆ្នាំ ២០១៨ ជាមួយនឹងបន្ទះឈីប GDDR6 ដែលត្រូវបានប្រើនៅក្នុង GPUs ។ ត្រូវបានបង្កើតឡើងដោយក្រុមហ៊ុន Intel វាប្រើ hafnium instead of silicon ដោយមានលោហៈជំនួសអេឡិចត្រូតប៉ូលីលីលីនធម្មតា(polysilicon gate electrodes) ។ ទាំងអស់នេះអនុញ្ញាតឱ្យដង់ស៊ីតេបន្ទះឈីបខ្ពស់ជាងមុនន។

ជាមួយនឹងល្បឿន ៧.២០០ Mbps Model ចុងក្រោយរបស់ Samsung នឹងផ្តល់នូវល្បឿនផ្ទេរប្រហែល 57.6 ជីកាបៃ / វិនាទីនៅលើប៉ុស្តិ៍តែមួយ។ នៅក្នុងសេចក្តីប្រកាសព័ត៌មានរបស់ក្រុមហ៊ុនសាមសុងក្រុមហ៊ុន Intel បានកត់សម្គាល់ថាអង្គចងចាំនេះនឹងត្រូវគ្នាជាមួយនឹងអង្គដំណើរការជំនាន់ក្រោយរបស់វាគឺ“ Sapphire Rapids” Xeon Scalable ។

ស្ថាបត្យកម្មនោះនឹងប្រើឧបករណ៍បញ្ជាDDR5 ចំនួន ៨ ប៉ុស្តិ៍ដូច្នេះយើងអាចមើលឃើញការតំឡើងម៉ូរីច្រើន terabyte ជាមួយនឹងល្បឿនផ្ទេរដែលមានកំរិតខ្ពស់ 460 ជីកាបៃ / វិនាទី។ ទន្ទឹមនឹងនេះកុំព្យូទ័រប្រើលើកដំបូងអាចនឹងមកដល់នៅឆ្នាំ 2022 ។

ប្រភពព័ត៌មានពី:

www.engadget.com

ដើម្បីអានពត៌មានបច្ចេកវិទ្យាថ្មីបន្ថែម៖https://cfu-esports.com/ ឬ ចូលទៅកាន់ FB Page៖ CFU E-Sports League Cambodia